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LDMOS熱載流子注入效應(yīng)安全工作區(qū)的研究

文檔作者: 馬書娜 王少榮 張愛軍        文檔來(lái)源: 華潤(rùn)上華科技有限公司
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更新時(shí)間: 2016年01月27日
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安全工作區(qū)(SOA)是MOSFET器件設(shè)計(jì)中的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。傳統(tǒng)CMOS在襯底電流.柵極電壓曲線上只出現(xiàn)一個(gè)襯底電流峰值,該峰值可直接反映出熱載流子注入(HCI)效應(yīng)最強(qiáng)的位置,因此可以容易地給出其SOA;而對(duì)于橫向雙擴(kuò)散MOSFET(LDMOS)器件,由于Kirk效應(yīng)的發(fā)生,造成其襯底電流峰值不明顯。此時(shí)的襯底電流已經(jīng)不能再完全反映HCI效應(yīng)的強(qiáng)弱。單純使用Hu模式或襯底電流模式對(duì)SOA測(cè)試和分析都不合適。針對(duì)發(fā)生嚴(yán)重 rk效應(yīng)的LDMOS,此處提出一套更合理的HCI SOA測(cè)試方法,該方法既能節(jié)省測(cè)試時(shí)間,同時(shí)準(zhǔn)確性又高。

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