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硅單晶拋光試驗(yàn)片規(guī)范

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào): GB/T 26065-2010
替代情況:
發(fā)布單位: 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
起草單位: 寧波立立電子股份有限公司、杭州海納半導(dǎo)體有限公司
發(fā)布日期: 2011-01-10
實(shí)施日期: 2011-10-01
點(diǎn) 擊 數(shù):
更新日期: 2025年02月14日
內(nèi)容摘要

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體器件制備中用作檢驗(yàn)和工藝控制的硅單晶試驗(yàn)片的技術(shù)要求。
本標(biāo)準(zhǔn)涵蓋尺寸規(guī)格、結(jié)晶取向及表面缺陷等特性要求。本標(biāo)準(zhǔn)涉及了50.8mm~300mm 所有標(biāo)準(zhǔn)直徑的硅拋光試驗(yàn)片技術(shù)要求。
對(duì)于更高要求的硅單晶拋光片規(guī)格,如:顆粒測(cè)試硅片、光刻分辨率試驗(yàn)用硅片以及金屬離子監(jiān)控片等,參見(jiàn)SEMI24《硅單晶優(yōu)質(zhì)拋光片規(guī)范》。

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