本文件描述了采用紅外反射法測試碳化硅外延層厚度的方法。
本文件適用于n型摻雜濃度大于1×1018 ?cm-3的碳化硅襯底上同質摻雜濃度小于1×1016 cm-3的同質碳化硅外延層厚度的測試，測試范圍為3 μm～200 μm。
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