本文件描述了用非接觸式渦流感應(yīng)法測(cè)試太陽(yáng)能電池用單晶硅錠、硅塊和硅片中非平衡載流子復(fù)合壽命的方法。本文件適用于非平衡載流子復(fù)合壽命在0.1 μs～10 000 μs、電阻率在0.1 Ω·cm～10 000 Ω·cm的硅錠、硅塊和硅片的測(cè)試。其中瞬態(tài)光電導(dǎo)衰減法適用于非平衡載流子復(fù)合壽命小于100 μs時(shí)硅錠、硅塊和硅片的測(cè)試，準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)法適用于非平衡載流子復(fù)合壽命大于200 μs時(shí)硅錠、硅塊和硅片的測(cè)試，非平衡載流子復(fù)合壽命在100 μs～200 μs時(shí)，兩種測(cè)試方法均適用。