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硅晶體中間隙氧含量徑向變化測量方法

標(biāo) 準(zhǔn) 號： GB/T 14144-2009
替代情況： 替代 GB/T 14144-1993
發(fā)布單位： 中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
起草單位： 峨嵋半導(dǎo)體材料廠
發(fā)布日期： 2009-10-30
實(shí)施日期： 2010-06-01
點(diǎn) 擊 數(shù)：
更新日期： 2020年02月01日
內(nèi)容摘要

本標(biāo)準(zhǔn)適用于室溫電阻率大于0.1Ω·cm 的n型硅單晶和室溫電阻率大于0.5Ω·cm 的p型硅單晶中間隙氧含量的測量。
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