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低溫傅立葉變換紅外光譜法測(cè)量硅單晶中III、V族雜質(zhì)含量的測(cè)試方法

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào)： GB/T 24581-2009
替代情況：
發(fā)布單位： 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
起草單位： 四川新光硅業(yè)科技有限責(zé)任公司
發(fā)布日期： 2009-10-30
實(shí)施日期： 2010-06-01
點(diǎn) 擊 數(shù)：
更新日期： 2020年02月01日
內(nèi)容摘要

本標(biāo)準(zhǔn)適用于檢測(cè)硅單晶中的電活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、鋁(Al)、銻(Sb)和鎵(Ga)的含量。
本標(biāo)準(zhǔn)所適用的硅中每一種電活性元素雜質(zhì)或摻雜劑濃度范圍為(0.01×10-9~5.0×10-9)a。
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