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低壓CMOS壓控振蕩器設(shè)計(jì)

文檔作者: 徐仁伯        文檔來源: 湖南大學(xué)物理與微電子科學(xué)
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更新時(shí)間: 2018年04月10日
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通過對(duì)Lc壓控振蕩器原理的分析,設(shè)計(jì)了一種新型cHos集成壓控振蕩器。該電路通過利用振蕩器的輸出產(chǎn)生高電壓來控制開關(guān)電容陣列的開啟來實(shí)現(xiàn)輸出頻率在不同頻段中轉(zhuǎn)換,從而提高輸出頻率范圍和降低相位噪聲。電路采用TSMCl8rfI藝,用Cadence的SpectreX:具進(jìn)行仿真。結(jié)果表明:在0.6V的電源電壓下,頻率覆蓋了2.07GHz到2.78GHz,可調(diào)控范圍約為29%,總功耗約為i.8mW,lMHz頻偏處相位噪聲約為一120dB/Hz,滿足了設(shè)計(jì)要求.

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