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硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命的測(cè)定 光電導(dǎo)衰減法

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào): GB/T 1553-2023
替代情況: 替代 GB/T 1553-2009
發(fā)布單位: 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
起草單位: 浙江海納半導(dǎo)體股份有限公司、洛陽(yáng)中硅高科技有限公司、江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司等
發(fā)布日期: 2023-08-06
實(shí)施日期: 2024-03-01
點(diǎn) 擊 數(shù):
更新日期: 2023年09月20日
內(nèi)容摘要

本文件規(guī)定了非本征硅單晶和鍺單晶體內(nèi)載流子復(fù)合過(guò)程中非平衡少數(shù)載流子壽命的光電導(dǎo)衰減測(cè)試方法。本文件適用于非本征硅單晶和鍺單晶中非平衡少數(shù)載流子壽命的測(cè)試。直流光電導(dǎo)衰減脈沖光法可測(cè)試具有特殊尺寸的長(zhǎng)方體或圓柱體樣品,測(cè)試硅單晶的最短壽命值為50 μs,測(cè)試鍺單晶最短壽命值為10μs。高頻光電導(dǎo)衰減法可測(cè)試棒狀或塊狀樣品,測(cè)試硅單晶和鍺單晶的最短壽命值為10μs。注:直流光電導(dǎo)衰減方法有兩種:直流光電導(dǎo)衰減脈沖光法和直流光電導(dǎo)衰減斬波光法(見(jiàn)附錄A)。

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