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硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命的測定 光電導(dǎo)衰減法

標(biāo) 準(zhǔn) 號: GB/T 1553-2023
替代情況: 替代 GB/T 1553-2009
發(fā)布單位: 國家市場監(jiān)督管理總局 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
起草單位: 浙江海納半導(dǎo)體股份有限公司、洛陽中硅高科技有限公司、江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司等
發(fā)布日期: 2023-08-06
實施日期: 2024-03-01
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更新日期: 2023年09月20日
內(nèi)容摘要

本文件規(guī)定了非本征硅單晶和鍺單晶體內(nèi)載流子復(fù)合過程中非平衡少數(shù)載流子壽命的光電導(dǎo)衰減測試方法。本文件適用于非本征硅單晶和鍺單晶中非平衡少數(shù)載流子壽命的測試。直流光電導(dǎo)衰減脈沖光法可測試具有特殊尺寸的長方體或圓柱體樣品,測試硅單晶的最短壽命值為50 μs,測試鍺單晶最短壽命值為10μs。高頻光電導(dǎo)衰減法可測試棒狀或塊狀樣品,測試硅單晶和鍺單晶的最短壽命值為10μs。注:直流光電導(dǎo)衰減方法有兩種:直流光電導(dǎo)衰減脈沖光法和直流光電導(dǎo)衰減斬波光法(見附錄A)。

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