本文件描述了采用低溫傅立葉變換紅外光譜法測定硅單晶中代位碳、間隙氧含量的方法。
本文件適用于室溫電阻率大于1 Ω·cm的n型硅單晶和室溫電阻率大于3 Ω·cm的p型硅單晶中代位碳、間隙氧含量的測定，測定范圍(以原子數(shù)計)為2.5×1014 cm-3~1.5×1017 cm-3。