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半導(dǎo)體單晶晶體質(zhì)量的測(cè)試 X射線衍射法

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào): GB/T 42676-2023
替代情況:
發(fā)布單位: 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
起草單位: 哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司、浙江海納半導(dǎo)體股份有限公司等
發(fā)布日期: 2023-08-06
實(shí)施日期: 2024-03-01
點(diǎn) 擊 數(shù):
更新日期: 2023年09月07日
內(nèi)容摘要

本文件描述了利用X射線衍射儀測(cè)試半導(dǎo)體材料雙晶搖擺曲線半高寬,進(jìn)而評(píng)價(jià)半導(dǎo)體單晶晶體質(zhì)量的方法。本文件適用于碳化硅、金剛石、氧化鎵等單晶材料晶體質(zhì)量的測(cè)試,硅、砷化鎵、磷化銦等半導(dǎo)體材料晶體質(zhì)量的測(cè)試也可參照本文件執(zhí)行。

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