本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了非本征半導(dǎo)體材料中少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度的測(cè)試方法，包含穩(wěn)態(tài)光電壓法、恒定光通量法和數(shù)字示波器記錄法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于非本征半導(dǎo)體材料，如硅單晶片或相同導(dǎo)電類型重?fù)揭r底上沉積的、已知電阻率的同質(zhì)外延層中的少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度的測(cè)試，測(cè)試樣品（外延層）的厚度大于擴(kuò)散長(zhǎng)度的4倍。本標(biāo)準(zhǔn)可測(cè)試樣品的電阻率和載流子壽命的極限尚未確定，但已對(duì)電阻率0.1Ω·cm～50Ω·cm、載流子壽命短至2ns的P型和N型硅樣品進(jìn)行了測(cè)試。本標(biāo)準(zhǔn)還可通過(guò)測(cè)試擴(kuò)散長(zhǎng)度后計(jì)算出硅中的鐵含量。
本標(biāo)準(zhǔn)也可用于測(cè)試其他半導(dǎo)體材料，如砷化鎵樣品（需同時(shí)調(diào)整相應(yīng)的光照波長(zhǎng)（能量）范圍和樣品制備工藝）等的有效擴(kuò)散長(zhǎng)度，評(píng)價(jià)晶粒間界垂直于表面的多晶硅樣品中的有效擴(kuò)散長(zhǎng)度，還可用于測(cè)試硅片潔凈區(qū)寬度，以及太陽(yáng)能電池和其他光學(xué)器件的有效擴(kuò)散長(zhǎng)度。