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非本征半導(dǎo)體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測(cè)量方法

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào): GB/T 4326-2006
替代情況: 替代 GB/T 4326-1984
發(fā)布單位: 國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局、國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
起草單位: 北京有色金屬研究總院
發(fā)布日期: 2006-07-18
實(shí)施日期: 2006-11-01
點(diǎn) 擊 數(shù):
更新日期: 2021年08月31日
內(nèi)容摘要

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的測(cè)量方法適用于非本征半導(dǎo)體單晶材料的霍爾系數(shù)、載流子霍爾遷移率、電阻率和載流子濃度。 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的測(cè)量方法僅在有限的范圍內(nèi)對(duì)鍺、硅、砷化鎵單晶材料進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)室測(cè)量,但該方法也可適用于其他半導(dǎo)體單晶材料,一般情況下,適用于室溫電阻率高達(dá)104Ω·cm

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