本標準規(guī)定了單晶和鑄造多晶的硅片及硅錠的載流子復合壽命的非接觸微波反射光電導衰減測試方法。
本標準適用于硅錠和經(jīng)過拋光處理的N型或P型硅片（當硅片厚度大于1mm時，通常稱為硅塊）載流子復合壽命的測試。在電導率檢測系統(tǒng)靈敏度足夠的條件下，本標準也可用于測試切割或經(jīng)過研磨、腐蝕的硅片的載流子復合壽命。通常，被測樣品的室溫電阻率下限在0.05Ω·cm～10Ω·cm之間，由檢測系統(tǒng)靈敏度的極限確定。載流子復合壽命的測試范圍為大于0.1.s，可測的最短壽命值取決于光源的關斷特性及衰減信號測定器的采樣頻率，最長可測值取決于樣品的幾何條件及其表面的鈍化程度。