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用區(qū)熔法和光譜分析法評價顆粒狀多晶硅的規(guī)程

標 準 號： GB/T 35309-2017
替代情況：
發(fā)布單位： 中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
起草單位： 江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司、新特能源股份有限公司、天津市環(huán)歐半導體材料技術有限公司
發(fā)布日期： 2017-12-29
實施日期： 2018-07-01
點 擊 數：
更新日期： 2018年06月04日
內容摘要

本標準規(guī)定了用區(qū)熔法和光譜分析法評價顆粒狀多晶硅的代位碳原子濃度、施主雜質濃度和受主雜質濃度的方法。
本標準適用于尺寸在600μm～3000μm的顆粒狀多晶硅，其他尺寸的顆粒狀多晶硅可參照本標準執(zhí)行。

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