本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了低溫傅立葉變換紅外光譜法測(cè)定硅單晶中代位碳、間隙氧雜質(zhì)含量的方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于室溫電阻率大于0.1 Ω·cm的N型硅單晶和室溫電阻率大于0.5 Ω·cm的P型硅單晶中代位碳、間隙氧雜質(zhì)含量的測(cè)定。