本標(biāo)準(zhǔn)適用于非本征單晶半導(dǎo)體材料樣品或相同導(dǎo)電類型重?fù)揭r底上沉積已知電阻率的同質(zhì)外延層中的少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度的測(cè)量。要求樣品或外延層厚度大于4倍的擴(kuò)散長(zhǎng)度。 本標(biāo)準(zhǔn)修改采用SEMI MF 391-1106《非本征半導(dǎo)體中少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度的穩(wěn)態(tài)表面光電壓測(cè)試方法》。
本標(biāo)準(zhǔn)與SEMI MF 391-1106相比主要有如下變化：
———標(biāo)準(zhǔn)格式按GB/T 1.1要求編排；
———將SEMI MF 391-1106中的部分注轉(zhuǎn)換為正文；
———將SEMI MF 391-1106中部分內(nèi)容進(jìn)行了編排。