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硅晶片上淺腐蝕坑檢測(cè)的測(cè)試方法

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào): GB/T 26066-2010
替代情況:
發(fā)布單位: 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局、中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
起草單位: 洛陽單晶硅有限責(zé)任公司
發(fā)布日期: 2011-01-10
實(shí)施日期: 2011-10-01
點(diǎn) 擊 數(shù):
更新日期: 2017年03月11日
內(nèi)容摘要

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用熱氧化和化學(xué)擇優(yōu)腐蝕技術(shù)檢驗(yàn)拋光片或外延片表面因沾污造成的淺腐蝕坑的檢測(cè)方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于檢測(cè)<111>或<100>晶向的p型或n型拋光片或外延片,電阻率大于0.001Ω·cm。

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