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用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評價多晶硅棒的規(guī)程

標 準 號: GB/T 29057-2012
替代情況:
發(fā)布單位: 中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局、中國國家標準化管理委員會
起草單位: 四川新光硅業(yè)科技有限責任公司、樂山樂電天威硅業(yè)科技有限責任公司、天威四川硅業(yè)有限責任公司
發(fā)布日期: 2012-12-31
實施日期: 2013-10-01
點 擊 數(shù):
更新日期: 2014年01月21日
內(nèi)容摘要

本標準采用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法來測量多晶硅棒中的施主、受主雜質(zhì)濃度。測得的施主、受主雜質(zhì)濃度可以用來計算按一定的目標電阻率生長單晶硅棒所需要的摻雜量,也可以用來推算非摻雜硅棒的電阻率。

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