本文件規(guī)定了半絕緣型碳化硅（SiC）單晶襯底的術(shù)語(yǔ)、分類、要求、檢驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存等。
本文件適用于經(jīng)拋光后制備的Φ50.8 mm，Φ76.2 mm，Φ100.0mm，Φ150.0 mm 半絕緣型 SiC 襯底，晶型為 4H。