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砷化鎵晶片熱穩(wěn)定性的試驗(yàn)方法

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào): SJ/T 11497-2015
替代情況:
發(fā)布單位: 中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部
起草單位: 工業(yè)和信息化部電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化研究院
發(fā)布日期: 2015-04-30
實(shí)施日期: 2015-10-01
點(diǎn) 擊 數(shù):
更新日期: 2021年04月09日
內(nèi)容摘要

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半絕緣砷化鎵(GaAs)熱穩(wěn)定性的試驗(yàn)方法。

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