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本文件描述了測量經(jīng)化學(xué)機(jī)械拋光或外延生長的硅片上表面元素污染的原子表面密度的TXRF方法。 本文件適用于以下情形: ——原子序數(shù)從16(S)到92(U)的元素; ——原子表面密度介于1×1010 atoms/cm2~1×1014 atoms/cm2之間的污染元素; ——采用VPD(氣相分解)樣品制備方法得到的原子表面密度介于5×108 atoms/cm2~5×1012 atoms/cm2之間的污染元素(見3.4)。