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表面化學(xué)分析 全反射X射線熒光光譜法(TXRF)測定硅片表面元素污染

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào): GB/T 40110-2021
替代情況:
發(fā)布單位: 國家市場監(jiān)督管理總局 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
起草單位: 中國計(jì)量科學(xué)研究院、華南理工大學(xué)
發(fā)布日期: 2021-05-21
實(shí)施日期: 2021-12-01
點(diǎn) 擊 數(shù):
更新日期: 2022年01月07日
內(nèi)容摘要

本文件描述了測量經(jīng)化學(xué)機(jī)械拋光或外延生長的硅片上表面元素污染的原子表面密度的TXRF方法。
本文件適用于以下情形:
——原子序數(shù)從16(S)到92(U)的元素;
——原子表面密度介于1×1010 atoms/cm2~1×1014 atoms/cm2之間的污染元素;
——采用VPD(氣相分解)樣品制備方法得到的原子表面密度介于5×108 atoms/cm2~5×1012 atoms/cm2之間的污染元素(見3.4)。

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