本文件規(guī)定了爆炸性環(huán)境用發(fā)出光輻射的設(shè)備的要求、試驗和標(biāo)志，也包括位于爆炸性環(huán)境之外或由GB/T 3836.1中列出的防爆型式保護，但產(chǎn)生的光輻射會進入爆炸性環(huán)境的設(shè)備。本文件包括Ⅰ類、Ⅱ類和Ⅲ類以及EPL Ga、Gb、Gc、Da、Db、Dc、Ma和Mb。
本文件適用于波長范圍為380 nm～10 μm的光輻射。包括下述的點燃機理。
——表面或顆粒吸收光輻射后，溫度升高，在某些條件下，會達到點燃周圍爆炸性環(huán)境的溫度。
——在罕見特殊情況下，強光束聚焦處激光直接擊穿氣體，產(chǎn)生等離子和沖擊波，二者最終成為點燃源。接近擊穿點的固體材料會加劇這個過程。
