本文件規(guī)定了正壓懸浮區(qū)熔單晶硅爐的產(chǎn)品標(biāo)記和主要參數(shù)、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則和標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、儲(chǔ)存。適用于以高純多晶硅做原料，采用懸浮區(qū)熔法進(jìn)行半導(dǎo)體級(jí)單晶硅生長(zhǎng)的單晶硅爐。