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光纖通信用半導(dǎo)體激光器芯片技術(shù)規(guī)范 第3部分:光源用電吸收調(diào)制型半導(dǎo)體激光器芯片

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào): SJ/T 11856.3-2022
替代情況:
發(fā)布單位: 中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部
起草單位: 中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院 等
發(fā)布日期: 2022-09-30
實(shí)施日期: 2023-01-01
點(diǎn) 擊 數(shù):
更新日期: 2023年10月23日
內(nèi)容摘要

本文件規(guī)定了光纖通信用電吸收調(diào)制型半導(dǎo)體激光器芯片的術(shù)語(yǔ)和定義、縮略語(yǔ)、技術(shù)要求、檢驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、包裝、標(biāo)志、產(chǎn)品說(shuō)明書(shū)和貯存等。
本文件適用于 10Gbaud(NRZ)、25Gbaud(NRZ/PAM4)和 50Gbaud(NRZ/PAM4)電吸收調(diào)制型半導(dǎo)體激光器芯片(EML)

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