本文件描述了元器件位移損傷的試驗(yàn)方法。
本文件適用于光電集成電路和分立器件，如電荷耦合器件（CCD）、光電耦合器、圖像敏感器（APS）、光敏管等，用質(zhì)子、中子進(jìn)行位移損傷輻照試驗(yàn)。
其他元器件的位移損傷輻照試驗(yàn)參照進(jìn)行。