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半導(dǎo)體紫外發(fā)射二極管 第1部分:測(cè)試方法

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào): SJ/T 11818.1-2022
替代情況:
發(fā)布單位: 中華人民共和國工業(yè)和信息化部
起草單位: 中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院 等
發(fā)布日期: 2022-09-30
實(shí)施日期: 2023-01-01
點(diǎn) 擊 數(shù):
更新日期: 2023年10月22日
內(nèi)容摘要

本文件規(guī)定了對(duì)半導(dǎo)體紫外發(fā)射二極管輻射度參數(shù)的一般要求,包括測(cè)試條件、儀器設(shè)備、測(cè)試步驟。
本部分適用于峰值波長 200nm~400nm 的器件,峰值波長400nm~420nm 的器件可參照本部分執(zhí)行。

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