本文件描述了非接觸渦流法測(cè)試半導(dǎo)體晶片電阻率及半導(dǎo)體薄膜薄層電阻的方法。 ?
本文件適用于測(cè)試直徑或邊長(zhǎng)不小于25.0 mm、厚度為0.1 mm～1.0 mm的硅、導(dǎo)電型砷化鎵、導(dǎo)電型碳化硅單晶片的電阻率，以及襯底上制備的電阻不小于薄膜電阻1 000倍的薄膜薄層的電阻。單晶片電阻率的測(cè)試范圍為0.001 Ω·cm～200 Ω·cm，薄膜薄層電阻的測(cè)試范圍為2.0×103 Ω/□～3.0×103 Ω/□。本方法也可以擴(kuò)展到其他半導(dǎo)體材料中，但不適用于晶片徑向電阻率變化的判定。