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石英晶體元件參數(shù)的測(cè)量 第6部分:激勵(lì)電平相關(guān)性(DLD)的測(cè)量

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào): SJ/T 11212-1999
替代情況:
發(fā)布單位: 中華人民共和國(guó)信息產(chǎn)業(yè)部
起草單位: 電子工業(yè)部標(biāo)準(zhǔn)化研究所
發(fā)布日期: 1999-08-26
實(shí)施日期: 1999-12-01
點(diǎn) 擊 數(shù):
更新日期: 2022年12月05日
內(nèi)容摘要

本規(guī)范適用于石英晶體件激勵(lì)電平相關(guān)性(DLD)的測(cè)量。本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定兩種試驗(yàn)方法。方法A,以SJ/Z9154.1-87的π型網(wǎng)絡(luò)為基礎(chǔ),適宜 和于該標(biāo)覆蓋的整個(gè)頻率范圍。方法B,是振蕩器法,適用于固定條件下大批量基頻石英晶體件的測(cè)量。

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