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摻鈰硅酸鹽閃爍晶體設計指南

標 準 號: SJ/Z 21350-2018
替代情況:
發(fā)布單位: 國家國防科技工業(yè)局
起草單位: 中國電子科技集團公司
發(fā)布日期: 2018-01-18
實施日期: 2018-05-01
點 擊 數(shù):
更新日期: 2022年09月29日
內容摘要

本指導性技術文件規(guī)定了摻鈰硅酸釔镥(Ce:LYSO)、摻鋪硅酸镥(Ce:LSO)、摻鋪硅酸釔(Ce:YSO)等摻鈰硅酸鹽閃爍晶體原生晶棒和晶體產品(包括晶片、晶塊形式的產品)設計流程與依據、設計內容、

設計驗證、設計輸出等要求。


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