本標準規(guī)定了低密度晶體原生凹坑硅單晶拋光片（以下簡稱Low-COP拋光片）的技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則、包裝、標志、運輸、貯存、隨行文件及訂貨單內(nèi)容。
本標準適用于對晶體原生凹坑敏感的集成電路用直徑為200mm和300mm、晶向<100>、電阻率(0.1～100)Ω·cm的Low-COP拋光片。