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本文件規(guī)定了CMOS集成電路抗輻射(總劑量、單粒子)加固設計的流程、設計要求、建模仿真、驗證試驗要求。 本文件適用于基于體硅/SOI CMOS工藝的數(shù)字集成電路、模擬集成電路和數(shù)?;旌霞呻娐返目馆椛洌倓┝?、單粒子)加固設計。