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半導(dǎo)體器件 10keV低能X射線(xiàn)總劑量輻射試驗(yàn)方法

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào): SJ/T 11586-2016
替代情況:
發(fā)布單位: 中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部
起草單位: 電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化研究院等
發(fā)布日期: 2016-01-15
實(shí)施日期: 2016-06-01
點(diǎn) 擊 數(shù):
更新日期: 2019年01月09日
內(nèi)容摘要

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了使用 X 射線(xiàn)輻射儀(光子平均能量約 10keV,最大光子能量不超過(guò)100keV)對(duì)半導(dǎo)體器件和電路進(jìn)行電離輻射效應(yīng)試驗(yàn)的方法和程序。適用于半導(dǎo)體器件的總劑量電離輻照評(píng)估試驗(yàn)。

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