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硅片電阻率測定 擴展電阻探針法

標 準 號： GB/T 6617-2009
替代情況： 替代 GB/T 6617-1995
發(fā)布單位： 中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局、中國國家標準化管理委員會
起草單位： 南京國盛電子有限公司、寧波立立電子股份有限公司
發(fā)布日期： 2009-10-30
實施日期： 2010-06-01
點 擊 數(shù)：
更新日期： 2013年05月06日
內(nèi)容摘要

本標準規(guī)定了硅片電阻率的擴展電阻探針測量方法。
本標準適用于測量晶體晶向與導電類型已知的硅片的電阻率和測量襯底同型或反型的硅片外延層的電阻率,測量范圍:10-3 Ω·cm~102 Ω·cm。
 

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