本文件規(guī)定了一種通過測定濺射速率校準材料濺射深度的方法，即在一定濺射條件下測定一種具有單層或多層膜參考物質(zhì)的濺射速率，用作相同材料膜層的深度校準。當使用俄歇電子能譜(AES)、?X射?線光電子能譜(XPS)和二次離子質(zhì)譜(SIMS)進行深度分析時，這種方法對于厚度在20 nm~200 nm之間的膜層具有5%~10%的準確度。濺射速率是由參考物質(zhì)相關界面間的膜層厚度和濺射時間決定。使用已知的濺射速率并結合濺射時間，可以得到被測樣品的膜層厚度。測得的離子濺射速率可用于預測各種其他材料的離子濺射速率，從而可以通過濺射產(chǎn)額和原子密度的表值估算出這些材料的深度尺度和濺射時間。