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碳化硅單晶片厚度和總厚度變化測試方法

標 準 號： GB/T 30867-2014
替代情況：
發(fā)布單位： 中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
起草單位： 中國電子科技集團公司第四十六研究所、中國電子技術(shù)標準化研究院
發(fā)布日期： 2014-07-24
實施日期： 2015-02-01
點 擊 數(shù)：
更新日期： 2017年11月22日
內(nèi)容摘要

本標準規(guī)定了碳化硅單晶片厚度及總厚度變化(TTV)的測試方法,包括接觸式和非接觸式兩種方式。
本標準適用于直徑不小于30mm、厚度為0.13mm~1mm 的碳化硅單晶片

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