本標準規(guī)定了近紅外光致發(fā)光光譜方法表征半導體性單壁碳納米管的原理的基礎(chǔ)上,規(guī)范了使用儀器、制樣方法、測量步驟、實驗數(shù)據(jù)處理及結(jié)果分析、不確定度影響因素分析和測試報告等內(nèi)容。
本標準適用于利用近紅外光致發(fā)光光譜方法表征半導體性單壁碳納米管手性指數(shù)和相對質(zhì)量濃度。