多晶硅風險辨識與評價

　　評論：　更新日期：2011年12月14日

4.2.3電危害

4.2.3.1危險分析

多晶硅生產(chǎn)屬高耗能裝置,裝置內(nèi)電解水、三氯氫硅還原等過程中,使用到大量的電氣設(shè)備。電氣危害電氣傷害具有突然、危險性大的特點,容易造成惡性事故。電氣設(shè)備危險除自身故障引起的觸電、漏電、短路等事故危及人體安全外,在某些情況下還會引發(fā)其它重大危險事故(如火災、爆炸等) 。作業(yè)環(huán)境中的局部照明防爆設(shè)計、電擊防護設(shè)計應與作業(yè)場所危險程度相適應,并應將生產(chǎn)環(huán)境中有爆炸、高溫、腐蝕特點的場所視為重點控制部位。生產(chǎn)環(huán)境中具有腐蝕性化學品,電氣裝置應采取防腐蝕設(shè)計。電氣傷害主要涉及供配電、電氣設(shè)備和電氣防護裝置、措施等方面。如果電氣線路或電氣設(shè)備在設(shè)計、安裝上存在缺陷,或在運行中,缺乏必要的檢修維護,使設(shè)備或線路存在漏電、過熱、短路、接頭松脫、斷線碰殼、絕緣老化等隱患;未采取必要的安全技術(shù)措施(如保護接零、漏電保護、安全電壓、等電位聯(lián)結(jié)等) ,或安全措施失效;帶負荷拉開裸露的閘刀開關(guān)；誤操作引起短路;專業(yè)電工或機電設(shè)備操作人員的操作失誤,或違章作業(yè)等。造成人員觸電傷亡和電弧灼傷。

4.2.3.2危險危害主要存在崗位

電傷害的主要方式有：電流傷害、電氣火災、電路故障、靜電危害。存在上述危害的崗位主要是：氫氣制備、氯硅烷分離提純、三氯氫硅還原、還原氣分離、四氯化硅氫化、硅芯制備、產(chǎn)品整理、廢氣廢液處理、冷凍站、空壓站。

4.2.4化學腐蝕

硫酸、氫氟酸、硝酸、氫氧化鈉、氫氣、氧等具有強腐蝕性，在一定溫度濃度下對設(shè)備、管道腐蝕加快。氫對設(shè)備鋼材腐蝕形成“氫脆”現(xiàn)象。另外氯化氫遇水會形成酸性化合物對設(shè)備造成一定的腐蝕。

以上物料泄漏后，會對操作人員造成一定的腐蝕傷害。

存在腐蝕危害的崗位有：氫氣制備、氯硅烷分離提純、三氯氫硅還原、還原氣分離、四氯化硅氫化、氯硅烷儲存、硅芯制備、產(chǎn)品整理、廢氣廢液處理。

4.2.5化學灼傷

本項目中的硝酸、氫氟酸、鹽酸、硫酸、生石灰、燒堿、氟化氫、氯化氫、三氯氫硅、四氯化硅、二氯二氫硅等物質(zhì)具有腐蝕性，如貯存設(shè)備、輸送管道泄漏、操作時防護不夠、違章作業(yè)等原因均會對人員造成化學灼傷。液氮、液氬還會對人員造成低溫灼傷。

存在化學灼傷的崗位有：氯硅烷分離提純、三氯氫硅還原、還原氣分離、四氯化硅氫化、氯硅烷儲存、硅芯制備、產(chǎn)品整理、廢氣廢液處理。

4.2.6 高溫燙傷

本項目中四氯化硅氫化，三氯氫硅加熱器、氯化氫加熱器、硅粉加熱器、氫氣加熱器的反應溫度均在550℃左右，三氯氫硅還原溫度為1050～1100℃。還有氯硅烷分離提純、三氯氫硅還原等崗位蒸汽管網(wǎng)中的高溫蒸汽。因此，本項目中許多設(shè)備、管道、物料都處于高溫狀態(tài)，人員一旦接觸到高溫物料和設(shè)備或是高溫物料設(shè)備及管線泄漏除造成爆炸、火災事故外還會造成操作人員的灼燙傷害。

存在高溫燙傷的崗位有：氯硅烷分離提純、三氯氫硅還原、四氯化硅氫化、還原氣分離、廢氣廢液處理。

4.2.7低溫凍傷

制氮崗位的液氮儲罐一般溫度在-190℃左右，如發(fā)生設(shè)備故障或操作不良，會對作業(yè)人員造成低溫傷害。冷凍站的致冷設(shè)備、生產(chǎn)中冷凝器及其管道均有可能因保冷層破損、設(shè)備管道的泄漏、作業(yè)人員無防護措施而發(fā)生凍傷危害。

存在低溫凍傷的崗位有：冷凍站、空壓站。

4.2.8起重傷害

三氯氫硅還原、還原氣分離、四氯化硅氫化、氫氣制備、循環(huán)水站等崗位安裝有行車、電動葫蘆等起重設(shè)備，檢修中還使用移動式起重設(shè)備。如這些起重設(shè)備在起重作業(yè)中，脫鉤砸人，移動吊物撞人，鋼絲繩斷裂，安裝或使用過程中傾覆事故以及起重設(shè)備本身有缺陷等，均存在起重傷害的可能。

發(fā)生在起重機械作業(yè)中的傷害事故有技術(shù)和設(shè)備原因，但主要還是管理原因，主要包括以下方面：

安全管理規(guī)章制度不健全，不落實；

對起重機械作業(yè)有關(guān)人員缺乏安全教育，無證操作；

管理不嚴格，違章作業(yè)現(xiàn)象屢禁不止；

維修保養(yǎng)不及時，帶病運行現(xiàn)象；

對起重機械的設(shè)計、制造、使用、維修等缺乏系統(tǒng)安全管理；

防護距離不足；

無關(guān)人員進入作業(yè)區(qū)域。

存在上述危害的崗位主要有：氫氣制備、氯硅烷分離提純、三氯氫硅還原、還原氣分離、四氯化硅氫化。

4.2.9機械傷害

我公司的運轉(zhuǎn)設(shè)備主要有壓縮機、空壓機、各種機泵以及起重設(shè)備等。如生產(chǎn)和檢維修時操作不當、轉(zhuǎn)動部分無防護罩、違章作業(yè)、備品備件質(zhì)量差、個人防護不夠等原因，均容易造成機械傷害事故。部分設(shè)備由于項目建設(shè)的原因距離較小，在作業(yè)人員操作時會造成機械傷害。

存在該危險的崗位主要有：氫氣制備、氯硅烷分離提純、三氯氫硅還原、還原氣分離、四氯化硅氫化、氯硅烷儲存、硅芯制備、產(chǎn)品整理、廢氣廢液處理、冷凍站、空壓站、循環(huán)水站。

4.2.10高處墜落

氯硅烷分離提純精餾塔高27m，四氯化硅氫化塔區(qū)高25m左右，在高大設(shè)備的平臺等處存在高處墜落的潛在危險，如在巡回檢查中失足、檢修設(shè)備時防護不當、喑井無蓋、護欄、扶梯損壞、氣候惡劣、照明不足等原因均容易造成高處墜落事故。

高空作業(yè)安全措施不到位、安全防護用具損壞、失靈等會造成高處墜落事故。

存在高處墜落的崗位主要是：氯硅烷分離提純、三氯氫硅還原、四氯化硅氫化、廢氣廢液處理、管廊。

4.2.11噪聲危害

本項目中的氫壓縮機、冷凍壓縮機、羅茨風機、引風機、壓濾機、物料泵、循環(huán)水泵站、空壓站、氮氣站。上述設(shè)備在運轉(zhuǎn)過程中產(chǎn)生的dB都在85以上，如生產(chǎn)現(xiàn)場無隔震、減震措施、未配備個人防護用品，由于機械的撞擊、摩擦、轉(zhuǎn)動而引起的機械噪聲等，長時間接觸能使人頭痛、頭暈、易疲勞，神經(jīng)衰弱，對心血管與消化系統(tǒng)產(chǎn)生危害，使失誤率上升，甚至導致事故發(fā)生。

存在噪聲危害的崗位有：循環(huán)水站、冷凍站、空壓站、還原氣分離、三氯氫硅還原。

4.2.12粉塵危害

本項目生產(chǎn)中粉塵危害主要存在于硅粉的輸送及加料、產(chǎn)品整理崗位。

粉塵危害表現(xiàn)為對人體的危害、對生產(chǎn)的危害和對環(huán)境的危害三個方面。對人體的危害為在生產(chǎn)過程中，有塵作業(yè)工人長時間吸入粉塵，能引起肺部組織纖維化病變、硬化，喪失正常的呼吸功能，導致塵肺病，塵肺病是無法痊愈的職業(yè)??；此外，部分粉塵還可以引發(fā)其他疾病，如造成刺激性疾?。r青煙塵、石灰、皮毛引起的皮炎），急性中毒（如鉛煙、錳塵等），致癌率增高（如石棉、放射性物質(zhì)粉塵）。對生產(chǎn)的危害表現(xiàn)為對產(chǎn)品的質(zhì)量、精度的影響，增加設(shè)備轉(zhuǎn)動部件的磨損，造成材料的消耗等。

硅粉存儲間及投料間由于通風不暢或通風設(shè)施損壞會使得粉塵濃度超標對作業(yè)人員造成粉塵引發(fā)，長時間接觸高濃度粉塵會引發(fā)塵肺病。

產(chǎn)品整理在作業(yè)過程中會產(chǎn)生矽塵，通風設(shè)施不暢或勞動保護用品佩戴不齊全，會引發(fā)矽肺病。

存在粉塵危害的場所：四氯化硅氫化、產(chǎn)品整理。

4.2.13車輛傷害

運輸車輛在廠內(nèi)行駛過程中與人體接觸，可發(fā)生撞、擠等傷害。

造成廠內(nèi)機動車輛的危險因素主要有：道路的布置不合理；道口沒有設(shè)置警示燈、警示牌等；駕駛?cè)藛T不按操作規(guī)程操作；廠內(nèi)機動車輛沒有由技術(shù)監(jiān)督部門進行定期強制性檢驗、沒有進行登記造冊、無證人員駕駛等。